【供應】2SK3666-3-TB-E

- 產品型號:2SK3666-3-TB-E
- 生產廠家: ON Semiconductor
- 產品規格:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商:查看供應商>>
美元參考價格
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3000pcs: $0.09162/pcs
- 向供應商詢價>>
6000pcs: $0.08653/pcs
15000pcs: $0.07890/pcs
30000pcs: $0.07381/pcs
75000pcs: $0.06617/pcs
150000pcs: $0.06363/pcs
詳細信息
產品目錄繪圖:
CP Package N-Channel & RF Fets, Top
標準包裝:3,000
系列:-
包裝:帶卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss):1.2mA @ 10V
漏源極電壓 (Vdss):30V
漏極電流 (Id) - 最大值:10mA
FET 類型:N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):-
不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):180mV @ 1µA
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4pF @ 10V
電阻 - RDS(開):200 歐姆
安裝類型:表面貼裝
封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商器件封裝:3-CP
功率 - 最大值:200mW
標準包裝:3,000
系列:-
包裝:帶卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss):1.2mA @ 10V
漏源極電壓 (Vdss):30V
漏極電流 (Id) - 最大值:10mA
FET 類型:N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):-
不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):180mV @ 1µA
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4pF @ 10V
電阻 - RDS(開):200 歐姆
安裝類型:表面貼裝
封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商器件封裝:3-CP
功率 - 最大值:200mW
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2SK3666-3-TB-EONSemiconductorJFETN-CH10MA..2023+10164000原裝進口現貨品質保證
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2SK3666-3-TB-EONSemiconducto..3-CP2023+12244全新進口原裝現貨品質保證
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2SK3666-3-TB-EonsemiSMCP2023+500全新原裝現貨質量保證
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2SK3666-3-TB-EONSC-59-32023+16000【【【原裝絕對有貨】】】