【供應(yīng)】IXBH42N170
- 產(chǎn)品型號(hào)：IXBH42N170
- 生產(chǎn)廠家： IXYS
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-247-3
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
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1pcs： $20.50000/pcs
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
10pcs： $18.96300/pcs
100pcs： $16.19500/pcs
250pcs： $14.86252/pcs
500pcs： $14.14500/pcs
1000pcs： $13.32500/pcs
2500pcs： $12.91500/pcs
5000pcs： $12.60750/pcs
10000pcs： $12.30000/pcs
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：BIMOSFET™
包裝：散裝
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2.8V @ 15V，42A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80A
Current - Collector Pulsed (Icm)：300A
功率 - 最大值：360W
Switching Energy：-
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：188nC
Td (on/off) A 25°C：-
Test Condition：-
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：1.32µs
封裝：TO-247-3
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-247AD
系列：BIMOSFET™
包裝：散裝
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2.8V @ 15V，42A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80A
Current - Collector Pulsed (Icm)：300A
功率 - 最大值：360W
Switching Energy：-
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：188nC
Td (on/off) A 25°C：-
Test Condition：-
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：1.32µs
封裝：TO-247-3
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-247AD
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IXBH42N170AIXYSIGBT1700V42A..2023+120原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
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IXBH42N170IXYSIGBT1700V80A..2023+8552原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
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IXBH42N170AIXYSTO-2472023+1778全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,保證質(zhì)量
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IXBH42N170IXYSTO-2472023+19607全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,保證質(zhì)量
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IXBH42N170AIXYSTO-2472023+31610品質(zhì)保證,價(jià)格優(yōu)惠
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IXBH42N170IXYSTO-2472023+31610品質(zhì)保證,價(jià)格優(yōu)惠
