【供應(yīng)】IXBX75N170
- 產(chǎn)品型號：IXBX75N170
- 生產(chǎn)廠家： IXYS
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-247-3
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價格
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1pcs： $49.21000/pcs
- 向供應(yīng)商詢價>>
10pcs： $46.01800/pcs
100pcs： $39.90000/pcs
250pcs： $37.24000/pcs
500pcs： $35.37800/pcs
1000pcs： $34.04800/pcs
2500pcs： $32.98400/pcs
5000pcs： $31.92000/pcs
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：BIMOSFET™
包裝：管件
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.1V @ 15V，75A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200A
Current - Collector Pulsed (Icm)：580A
功率 - 最大值：1040W
Switching Energy：-
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：350nC
Td (on/off) A 25°C：-
Test Condition：-
反向恢復(fù)時間 (trr)：1.5µs
封裝：TO-247-3
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：*
系列：BIMOSFET™
包裝：管件
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.1V @ 15V，75A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200A
Current - Collector Pulsed (Icm)：580A
功率 - 最大值：1040W
Switching Energy：-
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：350nC
Td (on/off) A 25°C：-
Test Condition：-
反向恢復(fù)時間 (trr)：1.5µs
封裝：TO-247-3
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：*
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IXBX75N170AIXYSIGBT1700V110..2023+120原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
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IXBX75N170IXYSIGBT1700V200..2023+268原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
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IXBX75N170AIXYSPLUS247?-32023+500全新原裝現(xiàn)貨質(zhì)量保證
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IXBX75N170IXYSPLUS247?-32023+560全新原裝現(xiàn)貨質(zhì)量保證
