詳細信息
標準包裝：1
系列：IGBTMOD™
IGBT 類型：-
配置：半橋
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.8V @ 15V，200A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200A
電流 - 集電極截止（最大值）：1mA
不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：15nF @ 10V
功率 - 最大值：2000W
輸入：標準
NTC 熱敏電阻：無
安裝類型：底座安裝
封裝：模塊
供應商器件封裝：模塊
配用：BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT
BG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT
BG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBT
BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
系列：IGBTMOD™
IGBT 類型：-
配置：半橋
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.8V @ 15V，200A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200A
電流 - 集電極截止（最大值）：1mA
不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：15nF @ 10V
功率 - 最大值：2000W
輸入：標準
NTC 熱敏電阻：無
安裝類型：底座安裝
封裝：模塊
供應商器件封裝：模塊
配用：BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT
BG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT
BG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBT
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