【供應(yīng)】NGTB15N60S1EG
- 產(chǎn)品型號(hào)：NGTB15N60S1EG
- 生產(chǎn)廠家： ON Semiconductor
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-220-3
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
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1pcs： $1.58000/pcs
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
10pcs： $1.39500/pcs
25pcs： $1.26000/pcs
100pcs： $1.10250/pcs
250pcs： $0.96752/pcs
500pcs： $0.85500/pcs
1000pcs： $0.67500/pcs
2500pcs： $0.63000/pcs
5000pcs： $0.59850/pcs
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
IGBT 類型：NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：1.7V @ 15V，15A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30A
Current - Collector Pulsed (Icm)：120A
功率 - 最大值：117W
Switching Energy：900µJ
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：88nC
Td (on/off) A 25°C：65ns/170ns
Test Condition：400V，15A，22 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：270ns
封裝：TO-220-3
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-220
系列：-
包裝：管件
IGBT 類型：NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：1.7V @ 15V，15A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30A
Current - Collector Pulsed (Icm)：120A
功率 - 最大值：117W
Switching Energy：900µJ
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：88nC
Td (on/off) A 25°C：65ns/170ns
Test Condition：400V，15A，22 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：270ns
封裝：TO-220-3
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-220
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NGTB15N60S1EGONSemiconductorIGBT600V30A1..2023+97804原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
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NGTB15N60S1EGonsemiTO-220AB2023+500全新原裝現(xiàn)貨質(zhì)量保證
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NGTB15N60S1EGONTO-2202023+16000【【【原裝絕對(duì)有貨】】】
