【供應(yīng)】STGB10NB60ST4
- 產(chǎn)品型號(hào)：STGB10NB60ST4
- 生產(chǎn)廠家： STMicroelectronics
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），..
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美元參考價(jià)格
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暫時(shí)無(wú)參考價(jià)
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
詳細(xì)信息
其它有關(guān)文件：
STGB10NB60S View All Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：PowerMESH™
包裝：帶卷 (TR)
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：1.7V @ 15V，10A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：29A
Current - Collector Pulsed (Icm)：80A
功率 - 最大值：80W
Switching Energy：5.6mJ
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：33nC
Td (on/off) A 25°C：700ns/1.2µs
Test Condition：480V, 10A, 1 千歐, 15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：D²PAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：PowerMESH™
包裝：帶卷 (TR)
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：1.7V @ 15V，10A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：29A
Current - Collector Pulsed (Icm)：80A
功率 - 最大值：80W
Switching Energy：5.6mJ
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：33nC
Td (on/off) A 25°C：700ns/1.2µs
Test Condition：480V, 10A, 1 千歐, 15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：D²PAK
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STGB10NB60ST4STMicroelectro..Dsup2Pak，TO-..2023+6000品質(zhì)保證,價(jià)格優(yōu)惠
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STGB10NB60ST4STMicroelectro..TO-263-3,Dsu..2023+1250全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證
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STGB10NB60ST4STD2PAK2023+6278全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,保證質(zhì)量
