【供應(yīng)】TK32E12N1,S1X
- 產(chǎn)品型號：TK32E12N1,S1X
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-220-3
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
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1pcs： $1.89000/pcs
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
10pcs： $1.71100/pcs
25pcs： $1.52760/pcs
100pcs： $1.37480/pcs
250pcs： $1.22200/pcs
500pcs： $1.06926/pcs
1000pcs： $0.88595/pcs
2500pcs： $0.82485/pcs
5000pcs： $0.79430/pcs
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：120V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：60A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：13.8 毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：34nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2000pF @ 60V
功率 - 最大值：98W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：120V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：60A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：13.8 毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：34nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2000pF @ 60V
功率 - 最大值：98W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220
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TK32E12N1,S1XToshiba Semico..TO-2202023+528全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
