【供應(yīng)】TK40P03M1(T6RDS-Q)
- 產(chǎn)品型號(hào)：TK40P03M1(T6RDS-Q)
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
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美元參考價(jià)格
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2000pcs： $0.28420/pcs
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詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：40A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：10.8 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 100µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：17.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1150pF @ 10V
功率 - 最大值：33W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：D-Pak
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：40A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：10.8 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 100µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：17.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1150pF @ 10V
功率 - 最大值：33W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：D-Pak
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TK40P03M1(T6RDS-Q)Toshiba Semico..DPAK2023+500全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
