【供應(yīng)】TK4A60D(STA4,Q,M)
- 產(chǎn)品型號：TK4A60D(STA4,Q,M)
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-220-3 整包
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美元參考價格
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50pcs： $1.15080/pcs
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詳細(xì)信息
產(chǎn)品目錄繪圖：
TO-220SIS Side 3
TO-220SIS Side 2
TO-220SIS Side 1
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：4A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.7 歐姆 @ 2A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：600pF @ 25V
功率 - 最大值：35W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝：TO-220SIS
TO-220SIS Side 2
TO-220SIS Side 1
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：4A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.7 歐姆 @ 2A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：600pF @ 25V
功率 - 最大值：35W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝：TO-220SIS
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TK4A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semico..TO-220SIS2023+500全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
