【供應(yīng)】TK8S06K3L(T6L1,NQ)
- 產(chǎn)品型號(hào)：TK8S06K3L(T6L1,NQ)
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
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2000pcs： $0.46200/pcs
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詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：8A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：54 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：10nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：400pF @ 10V
功率 - 最大值：25W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：DPAK+
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：8A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：54 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：10nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：400pF @ 10V
功率 - 最大值：25W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：DPAK+
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TK8S06K3L(T6L1,NQ)Toshiba Semico..DPAK+2023+500全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
