【供應(yīng)】TP0610K-T1-GE3
- 產(chǎn)品型號：TP0610K-T1-GE3
- 生產(chǎn)廠家： Vishay Siliconix
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價格
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3000pcs： $0.09900/pcs
- 向供應(yīng)商詢價>>
6000pcs： $0.09300/pcs
15000pcs： $0.08700/pcs
30000pcs： $0.07980/pcs
75000pcs： $0.07650/pcs
150000pcs： $0.07350/pcs
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：185mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：6 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.7nC @ 15V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：23pF @ 25V
功率 - 最大值：350mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：185mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：6 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.7nC @ 15V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：23pF @ 25V
功率 - 最大值：350mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
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TP0610K-T1-GE3Vishay Silicon..SOT-23-3（TO-..2023+65916全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
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TP0610K-T1-GE3Vishay/Silicon..TO-236-3,SC-..2023+1250全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證
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TP0610K-T1-GE3VISHAY2023+1455全新原裝
