【供應(yīng)】TPCC8061-H,LQ(S
- 產(chǎn)品型號(hào)：TPCC8061-H,LQ(S
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：8-VDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
-
3000pcs： $0.25085/pcs
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：8A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：26 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 100µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：630pF @ 10V
功率 - 最大值：15W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-VDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：8-TSON高級(jí)
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：8A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：26 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 100µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：630pF @ 10V
功率 - 最大值：15W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-VDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：8-TSON高級(jí)