【供應(yīng)】TPCF8101(TE85L,F,M
- 產(chǎn)品型號：TPCF8101(TE85L,F,M
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：8-SMD，扁平引線
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價格
-
4000pcs： $0.40600/pcs
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8000pcs： $0.38570/pcs
詳細信息
產(chǎn)品目錄繪圖：
TPC8xxx Series Side
TPC8xxx Series Top
標準包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動
漏源極電壓 (Vdss)：12V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：6A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：28 毫歐 @ 3A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1600pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：VS-8（2.9x1.9）
TPC8xxx Series Top
標準包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動
漏源極電壓 (Vdss)：12V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：6A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：28 毫歐 @ 3A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1600pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：VS-8（2.9x1.9）