【供應(yīng)】TPCM8001-H(TE12L,Q
- 產(chǎn)品型號：TPCM8001-H(TE12L,Q
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：8-PowerWDFN
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
-
暫時(shí)無參考價(jià)
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詳細(xì)信息
產(chǎn)品目錄繪圖：
TPCM8001 Side
TPCM8001 Top
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：20A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：9.5 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：19nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1130pF @ 10V
功率 - 最大值：30W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerWDFN
供應(yīng)商器件封裝：2-4L1A
TPCM8001 Top
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：20A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：9.5 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：19nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1130pF @ 10V
功率 - 最大值：30W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerWDFN
供應(yīng)商器件封裝：2-4L1A