【供應(yīng)】TPCS8210(TE12L,Q,M
- 產(chǎn)品型號(hào)：TPCS8210(TE12L,Q,M
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
-
暫時(shí)無參考價(jià)
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：5A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：30 毫歐 @ 4A，4V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1280pF @ 10V
功率 - 最大值：600mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-TSSOP
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：5A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：30 毫歐 @ 4A，4V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1280pF @ 10V
功率 - 最大值：600mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-TSSOP