【供應(yīng)】TPS1101DRG4
- 產(chǎn)品型號(hào)：TPS1101DRG4
- 生產(chǎn)廠家： Texas Instruments
- 產(chǎn)品規(guī)格：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
-
2500pcs： $0.84375/pcs
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：15V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：2.3A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 2.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：11.25nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：791mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：15V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：2.3A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 2.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：11.25nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：791mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
-
TPS1101DRG4
TISOP82023+5212全新原廠原裝現(xiàn)貨 -
TPS1101DRG4TexasInstrumen..8-SOIC（3.9mm）2023+6000品質(zhì)保證,價(jià)格優(yōu)惠
-
TPS1101DRG4TexasInstrumen..8-SOIC(0.154..2023+1250全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證
-
TPS1101DRG4TISOP82023+3342全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,保證質(zhì)量
