標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：13A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：12 毫歐 @ 13A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：40nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1860pF @ 10V
功率 - 最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-VDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝：8-DFN3333（3.3x3.3）