【供應】US6M1TR

- 產品型號:US6M1TR
- 生產廠家: Rohm Semiconductor
- 產品規格:6-SMD,扁平引線
- 供應商:查看供應商>>
美元參考價格
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3000pcs: $0.22940/pcs
- 向供應商詢價>>
6000pcs: $0.21460/pcs
12000pcs: $0.19980/pcs
27000pcs: $0.18870/pcs
51000pcs: $0.18500/pcs
詳細信息
產品培訓模塊:
MOSFETs
產品目錄繪圖: TUMT-6 Package Top
特色產品: ECOMOS? Series MOSFETs
標準包裝:3,000
系列:-
包裝:帶卷 (TR)
FET 類型:N 和 P 溝道
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V,20V
電流 - 連續漏極 (Id)(25° C 時):1.4A,1A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):240 毫歐 @ 1.4A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):2nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):70pF @ 10V
功率 - 最大值:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝:6-SMD,扁平引線
供應商器件封裝:TUMT6
產品目錄繪圖: TUMT-6 Package Top
特色產品: ECOMOS? Series MOSFETs
標準包裝:3,000
系列:-
包裝:帶卷 (TR)
FET 類型:N 和 P 溝道
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V,20V
電流 - 連續漏極 (Id)(25° C 時):1.4A,1A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):240 毫歐 @ 1.4A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):2nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):70pF @ 10V
功率 - 最大值:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝:6-SMD,扁平引線
供應商器件封裝:TUMT6
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