詳細信息
標準包裝:2
系列:PolarHT™
包裝:托盤
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):200V
電流 - 連續漏極 (Id)(25° C 時):1900A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):1.7 毫歐 @ 1600A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):2900nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安裝類型:底座安裝
封裝:Y3-Li
供應商器件封裝:Y3-Li
系列:PolarHT™
包裝:托盤
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):200V
電流 - 連續漏極 (Id)(25° C 時):1900A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):1.7 毫歐 @ 1600A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):2900nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安裝類型:底座安裝
封裝:Y3-Li
供應商器件封裝:Y3-Li
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VMO1600-02PIXYSY3-Li2023+500全新原裝進口現貨品質保證