MTD6P10ET4G

MTD6P10E
PDF資料下載

MTD6P10E參數：MOSFET P-CH 100V 6A DPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品變化通告： ProductObsolescence30/Dec/2003
標準包裝：75
系列：-
包裝：管件
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：660毫歐@3A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：22nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：840pF@25V
功率-最大值：1.75W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：DPAK-3