2SK3476(TE12L.Q)

2SK3479-Z-E1-AZ
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2SK3479-Z-E1-AZ參數(shù)：MOSFET 100V N-CH TO-263

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：83A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：11 毫歐 @ 42A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：210nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：11000pF @ 10V
功率 - 最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：TO-263，TO-220SMD