2SK596C-HSD-SPA

2SK596S-B
PDF資料下載

2SK596S-B參數：MOSFET J-FET N-CH 20V 1MA SPA

類別：分立半導體產品-JFET（結點場效應
標準包裝：500
系列：-
包裝：散裝
不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)：150µA @ 5V
漏源極電壓 (Vdss)：-
漏極電流 (Id) - 最大值：1mA
FET 類型：N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：-
不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）：400mV @ 1µA
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4.1pF @ 5V
電阻 - RDS（開）：-
安裝類型：通孔
封裝：SC-72
供應商器件封裝：3-SPA
功率 - 最大值：100mW