AO3419DS-T1(SILICONIX)

AO3419
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AO3419參數：MOSFET P-CH -20V -3.5A SOT23

類別：分立半導體產品-FET - 單
其它圖紙： AO34xxSeriesSOT-23Top AO34xxSeriesSOT-23End AO34xxSeriesSOT-23Side
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平柵極，2.5V驅動
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：3.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：75毫歐@3.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：6.6nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：620pF@10V
功率-最大值：1.4W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：SOT-23-3