BS170PSTZ

BS170PSTZ
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BS170PSTZ參數：MOSFET N-CHAN 60V TO92-3

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：2,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：270mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：5 歐姆 @ 200mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：60pF @ 10V
功率 - 最大值：625mW
安裝類型：通孔
封裝：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線
供應商器件封裝：TO-92-3