BSC010NE2LSI參數：MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：25V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：100A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.05 毫歐 @ 30A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：59nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4200pF @ 12V功率 - 最大值：96W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerTDFN供應商器件封裝：PG-TDSON-8
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