BSO207P參數：MOSFET DUAL P-CH 20V 5.7A 8-SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 陣列產品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012標準包裝：2,500系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：2個P溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：5.7A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：45毫歐@5.7A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.2V@40µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：23.4nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1013pF@15V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應商器件封裝：P-DSO-8
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