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BSO615C G參數(shù)：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：SIPMOS®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：N 和 P 溝道FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：3.1A，2A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：110 毫歐 @ 3.1A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：22.5nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：380pF @ 25V功率 - 最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8
