BSP110,115

BSP110,115
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BSP110,115參數：MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：1,000
系列：TrenchMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：520mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：10 歐姆 @ 150mA，5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：40pF @ 10V
功率 - 最大值：6.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應商器件封裝：SC-73