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BSP295E6327T參數：MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：1,000系列：SIPMOS®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：1.8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：300 毫歐 @ 1.8A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 400µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：17nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：368pF @ 25V功率 - 最大值：1.8W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應商器件封裝：PG-SOT223-4
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