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BSP297 E6327參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：660mA
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：1.8歐姆@660mA，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.8V@400µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：16.1nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：357pF@25V
功率-最大值：1.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT223-4

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