BSS-066-01-L-D-DP-EM2

BSS119 E6433
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BSS119 E6433參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：170mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6歐姆@170mA，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.3V@50µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.5nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：78pF@25V
功率-最大值：360mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT23-3