BSS192PE6327T

BSS192PE6327T
PDF資料下載

BSS192PE6327T參數(shù)：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：1,000
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：250V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：190mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：12 歐姆 @ 190mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 130µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6.1nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：104pF @ 25V
功率 - 最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-243AA
供應商器件封裝：PG-SOT89-4