BSS80B/CH

BSS806N H6327
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BSS806N H6327參數：MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：2.3A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：57 毫歐 @ 2.3A，2.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：750mV @ 11µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.7nC @ 2.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：529pF @ 10V
功率 - 最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：PG-SOT23-3