BSS83P H6327參數：MOSFET P-CH 60V 330mA SOT23
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：SIPMOS®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：330mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2 歐姆 @ 330mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 80µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：3.57nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：78pF @ 25V功率 - 最大值：360mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：PG-SOT23-3
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