BUZ339

BUZ30A
PDF資料下載

BUZ30A參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
系列：SIPMOS®
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：21A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：130毫歐@13.5A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1900pF@25V
功率-最大值：125W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3