BVSS123LT1G參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：170mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：6 歐姆 @ 100mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：20pF @ 25V功率 - 最大值：225mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：SOT-23-3
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