C2M1000170D

C2M0080120D
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C2M0080120D參數(shù)：SIC MOSFET N-CH 1200V 31A TO247

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
應(yīng)用說明： SiCMOSFETIsolatedGateDriver
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：Z-FET™
包裝：散裝
FET類型：SiCFETN通道，碳化硅
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：1200V（1.2kV）
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：31.6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：98毫歐@20A，20V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.2V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：49.2nC@20V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：950pF@1000V
功率-最大值：208W
安裝類型：通孔
封裝：TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3