CMF2012F-361-2P-T

CMF20120D
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CMF20120D參數(shù)：SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
應(yīng)用說明： SiCMOSFETIsolatedGateDriver
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： 1200VSiCMosfetOverview
視頻文件： Cree'sSiliconCarbideMosfets--AnotherGeekMoment
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：Z-FET™
包裝：管件
FET類型：SiCFETN通道，碳化硅
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：1200V（1.2kV）
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：33A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：110毫歐@20A，20V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：90.8nC@20V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1915pF@800V
功率-最大值：150W
安裝類型：通孔
封裝：TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3