DI9003BBCZ

DI9400T
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DI9400T參數：MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP

類別：分立半導體產品-FET - 單
其它圖紙： SO-8PackageTop SO-8PackageSide1 SO-8PackageSide2
標準包裝：1
系列：-
包裝：剪切帶(CT)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：3.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：130毫歐@1A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.8V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：25nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：350pF@10V
功率-最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TSOP（0.130"，3.30mm寬）
供應商器件封裝：8-SO