DMG8N65SCT

DMG8601UFG-7
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DMG8601UFG-7參數：MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：6.1A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：23毫歐@6.5A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：950mV@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：8.8nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：143pF@10V
功率-最大值：920mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-UDFN裸露焊盤
供應商器件封裝：8-DFN3030（3x3）