DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13
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DMN3033LSD-13參數：MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：6.9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：22毫歐@6.9A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：725pF@15V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SOP