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DMN3200U

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DMN3200U-7-F

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DMN3200U-7
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DMN3200U-7參數：MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

類別：分立半導體產品-FET - 單
PCNDesign/Specification： GreenEncapsulate15/May/2008 BondWire3/May/2011
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：2.2A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：90毫歐@2.2A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：290pF@10V
功率-最大值：650mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：SOT-23-3

DMN3200U

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