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DMN5L06DW

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DMN5L06DW-7參數：MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
其它圖紙： SOT-363PackageTop SOT-363PackageSide1 SOT-363PackageSide2
PCNOther： MultipleChanges14/May/2009
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：50V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：280mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3歐姆@200mA，2.7V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：50pF@25V
功率-最大值：200mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝：SOT-363

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