DMP21D0UFB4-7B參數：MOSF P CH 20V 770MA DFN1006H4-3
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：10,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：770mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：495 毫歐 @ 400mA，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.54nC @ 8V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：80pF @ 10V功率 - 最大值：430mW安裝類型：表面貼裝封裝：3-XFDFN供應商器件封裝：3-DFN1006H4（1.0x0.6）
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