DMP6180SK3-13參數(shù)：MOSF P CH 60V 14A TO252
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：14A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：110毫歐@12A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.7V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：17.1nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：984.7pF@30V功率-最大值：1.7W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：TO-252
