EMD29T2R

EMD29T2R
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EMD29T2R參數：TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6

類別：分立半導體產品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
產品目錄繪圖： EMT-6PackageTop
標準包裝：8,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
晶體管類型：1個NPN，1個PNP-預偏壓式（雙）
電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA，500mA
電壓-集射極擊穿（最大值）：50V，12V
電阻器-基底(R1)(Ω)：1k，10k
電阻器-發射極基底(R2)(Ω)：10k
不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：30@5mA，5V/140@100mA，2V
不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：300mV@500µA，10mA/300mV@5mA，100mA
電流-集電極截止（最大值）：500nA
頻率-躍遷：250MHz，260MHz
功率-最大值：120mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝：EMT6