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EPC1010參數：TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
類別：分立半導體產品-FET - 單應用說明： SecondGenerationeGaN®FETs ThermalPerformanceofeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs產品變化通告： EPC1xxxSeriesObsolescence09/Sept/2011視頻文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKeyRoHS指令信息： LeadFree/RoHSStatement標準包裝：500系列：eGaN®包裝：帶卷(TR)FET類型：GaNFETN通道，氮化鎵FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：12A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：25毫歐@6A，5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1.2mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：7.5nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：440pF@100V功率-最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝：7-SMD，凸引線供應商器件封裝：7-LGA（3.6x1.6）
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