EPC1SI8

EPC1001
PDF資料下載

EPC1001參數：TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

類別：分立半導體產品-FET - 單
應用說明： SecondGenerationeGaN®FETs ThermalPerformanceofeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs
產品變化通告： EPC1xxxSeriesObsolescence09/Sept/2011
視頻文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKey
RoHS指令信息： LeadFree/RoHSStatement
標準包裝：500
系列：eGaN®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：GaNFETN通道，氮化鎵
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：25A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：7毫歐@25A，5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@5mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：10.5nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：800pF@50V
功率-最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：模具剖面（11焊條）
供應商器件封裝：模具剖面（11焊條）