FDB15N50參數(shù):MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝:800系列:-包裝:帶卷(TR)FET類(lèi)型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):500V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):15A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):380毫歐@7.5A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):41nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1850pF@25V功率-最大值:300W安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:TO-263AB