FDB3860參數：MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
類別：分立半導體產品-FET - 單PCNObsolescence： MultipleDevices27/Feb/2012標準包裝：800系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：6.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：37毫歐@5.9A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：30nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1740pF@50V功率-最大值：3.1W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：D²PAK
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